IT
» Новости оперативной памяти: MRAM и DDR4
Сотрудничество японских и американских разработчиков может положить конец 20-летнему правлению на рынке оперативной памяти типа DRAM. Более двадцати ведущих полупроводниковых компаний объединили свои интеллектуальные и производственные силы с целью развития нового типа памяти магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MR
...
Читать дальше на OSZone.net: "Новости оперативной памяти: MRAM и DDR4"